是一种用于半导体制造和微电子领域的高精度刻蚀设备。以下是该设备的主要功能和应用领域。

主要功能：

深硅刻蚀：采用等离子体刻蚀技术，可以实现深硅材料的高效刻蚀，满足微纳米结构的加工需求。

高选择性：具有良好的选择性，可以在不同材料间实现精准刻蚀，减少对周围材料的损伤。

高精度控制：提供高精度的刻蚀深度和形状控制，适用于复杂结构的加工。

等离子体源：采用先进的等离子体源技术，确保刻蚀过程的稳定性和一致性。

气体控制系统：精确控制反应气体的流量和比例，以优化刻蚀效果和速度。

自动化操作：支持自动化操作和监控，提高生产效率和安全性。

HSE M200主要用于4/6/8英寸深硅干法刻蚀工艺。可以配置手动及自动传输系统。产品配置高密度双立体等离子体源，中心边缘进气，快速气体切换，低频脉冲下电极系统，可以实现高速、高深宽比、高均匀性及极小的侧壁粗糙度。