1、支持基板尺寸：可保证不小于250 mm*250mm范围内准确曝光，最小基片尺寸5mm*5mm。

2、光刻精度：最小结构尺寸≤0.5μm。

3、具有对准套刻功能，对准精度：≤±0.5μm

4、加工效率：书写速度≥100mm2/min@lμm； ≥200mm2/min@2μm （釆用高速图形发生器DMD ,尺寸不小于1920*1080@10.8μm,加工效率基于正胶AZ1500,胶膜厚度0.5μm）。

5、8英寸真空吸附工作台，具有X、Y、Z、多轴精密运动系统。

6、采用光栅尺定位，位置分辨率≤3nm；

7、X-Y移动范围：250mm*250mm；等

主要用于掩膜板制作，无掩膜直写图形，集成衍射光学器件，光提取微纳结构，光场视角调控版，传感器，微流体器件等。