设备名称： 硅刻蚀设备
设备型号： GSEC200
射频源：ICP功率≤1500 W，RF功率≤300 W。
样品尺寸：最大支持8英寸晶圆
主要适用蚀刻材料包括硅（Si）、氮化硅（SiN）、氧化硅（SiO2）、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、铌酸锂（LiNbO3）以及金属和有机物等多种材料。
用于滤波、光电、功率等多个应用领域的多种材料刻蚀与失效分析。
