设备名称： 反应离子刻蚀系统
设备型号： 赛威科、SVAC-Etchlab-300
主要性能指标：
刻蚀速率：对于SiO2材料，刻蚀速率大于200nm/min；对于SiNx材料，刻蚀速率也大于200nm/min。
选择比：SiO2与光刻胶的选择比大于1.5，SiNx与光刻胶的选择比大于2。
工艺压力：通常在75 mTorr左右。
刻蚀不均匀性：±3%-±6%
应用领域：
集成电路、半导体照明、微机电系统（MEMS）、功率半导体等领域的微纳精细加工。
光阻材料剥离、表面处理、钝化层蚀刻、聚酰胺蚀刻、增强粘接力、生物医学应用、预结合清洗等。
