1. 反应腔室：
1.1 真空反应腔体采用316不锈钢整体成型，与真空腔体连接的真空接头全部为316不锈钢内抛光金属面密封（VCR）管接头。
1.2 反应腔室尺寸不少于：直径8英寸，高6毫米。
1.3 真空腔室样品台加热温度宽于或等于：室温至350°C，控制精度：≤设定温度的±1%℃。
1.4 真空反应腔室顶盖加热温度宽于或等于：室温至200°C，控制精度：≤设定温度的±1%℃。
2. 前驱体输运装置及管路：
2.1前驱体汇集装置，可汇集不少于6路独立的前驱体管路。
2.2 前驱体汇集装置加热温度宽于或等于：室温至250°C，控制精度：≤设定温度的±1%℃，金属成型加热器，并独立控制。
2.3 载气控制：气体质量流量计控制范围宽于或等于10~500 sccm，控制精度：≤设定值的±0.5%。
3．反应源管路及ALD阀门：
3.1独立的前驱体管路≥4条，不少于4个ALD隔膜阀，寿命≥30万次，阀门最低开关响应时间≤10毫秒；包含≥2条管路可以加热至200℃，包含≥2条室温前驱体管理，控制精度：≤设定值的±1%。
3.2 前驱体脉冲精确可控，控制精度5毫秒以下。
3.3 前驱体源瓶加热：≥2套独立金属成型源瓶加热器，可加热温度至200 °C，控制精度：≤设定值的±0.5%℃，同时要求反应源瓶阀门处温度比底部反应源温度高，且范围不超过设定值的5~10%。
4．薄膜沉积：常规连续流动模式下在6英寸基底ALD沉积50 nm氧化铝为标准沉积工艺，以三甲基铝和水为反应源，沉积温度200°C，要求：
4.1 沉积均匀性：要求片内测试9个点，要求单片内不均匀性≤2%，批次间不均匀性≤3%。
4.2 沉积速率：单循时间≤5秒或50 nm氧化铝沉积时间不超过30分钟。
4.3 三甲基铝及水的脉冲时间不超过100毫秒。
